天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，合肥晶合集成(15.000, 0.42, 2.88%)電路股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種多晶硅缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法”，公開(kāi)號(hào)CN202410591928.5，申請(qǐng)日期為2024年5月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種多晶硅缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。具體在本發(fā)明提供的一種多晶硅缺陷的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，其通過(guò)仿照標(biāo)準(zhǔn)單元器件以及SRAM器件中呈U字型形狀的PG晶體管的有源區(qū)結(jié)構(gòu)形狀，設(shè)計(jì)了一款將多個(gè)縮小間距后的U字型形狀有源區(qū)串聯(lián)的測(cè)試結(jié)構(gòu)，之后再在每個(gè)U字型形狀有源區(qū)上插入多晶硅柵極，得到意想不到的效果是：通過(guò)縮小多個(gè)U字型有源區(qū)的間距的方式，加劇U字型形狀有源區(qū)與多晶硅柵極的間距和應(yīng)力效應(yīng)，從而使得測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)多晶硅的漏電以及飽和電流不足缺陷更加敏感，即提高了多晶硅缺陷測(cè)試的可靠性和穩(wěn)定性。