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中國(guó)企業(yè)實(shí)現(xiàn)碳化硅量產(chǎn) 或?qū)⑻娲鷨尉Ч?/h1>
近日，我國(guó)自主研制的又一款4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品面世。據(jù)《科技日?qǐng)?bào)》6日在濟(jì)南的報(bào)道，該碳化硅項(xiàng)目由是山東天岳研制而成的。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)組織的專家認(rèn)為，該成果國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。此前，北京某企業(yè)與中科院合作，成功研制了從2英寸到6英寸的碳化硅襯底，完成了我國(guó)碳化硅半導(dǎo)體從無到有的過程。如今，我國(guó)第二家企業(yè)也實(shí)現(xiàn)了碳化硅材料大規(guī)模量產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)碳化硅材料發(fā)展逐漸走向成熟。
專家研討碳化硅材料
觀察者網(wǎng)查詢得知，山東天岳是與山東大學(xué)材料研究中心合作的一家碳化硅生產(chǎn)企業(yè)。材料科技一直是制約我國(guó)軍工發(fā)展的短板之一，2015年1月，觀察者網(wǎng)曾報(bào)道，北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司與中科院合作成功研發(fā)6英寸碳化硅襯底，并形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線，該企業(yè)一度是中國(guó)唯一一家碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)。然而，材料科技的短板不僅是體現(xiàn)在技術(shù)上，更體現(xiàn)在產(chǎn)量上。雖然相比較下技術(shù)上有所差距，但觀察者網(wǎng)了解到，山東天岳的新生產(chǎn)線將達(dá)到年產(chǎn)40-50萬片4英寸碳化硅襯底的程度，這樣巨大的規(guī)模，可能意味著我國(guó)碳化硅產(chǎn)品的成本降低，在產(chǎn)量上獲得飛躍。
眾所周知，目前大多數(shù)的半導(dǎo)體材料都是單晶硅，長(zhǎng)期以來，我國(guó)的單晶硅主要依靠進(jìn)口。相比單晶硅，碳化硅材料的制作和應(yīng)用則一直很困難，當(dāng)前世界上研發(fā)碳化硅器件的主要有美國(guó)、德國(guó)、瑞士、日本等國(guó)家，但直到現(xiàn)在碳化硅的工業(yè)應(yīng)用主要是作為磨料（金剛砂）使用。瑞士ABB曾經(jīng)一度成功開發(fā)出碳化硅二極管，然而在2002年，由于工藝?yán)щy、前景不明，ABB終止了碳化硅項(xiàng)目，可見研發(fā)難度之大。
半導(dǎo)體碳化硅襯底及芯片的重要戰(zhàn)略價(jià)值,使其始終穩(wěn)居美國(guó)商務(wù)部的禁運(yùn)名單,這也導(dǎo)致我國(guó)很難從國(guó)外獲得相應(yīng)產(chǎn)品。我國(guó)第二家企業(yè)對(duì)4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品的研制成功，說明我國(guó)在碳化硅晶片產(chǎn)品在工藝和產(chǎn)量上已經(jīng)能擺脫對(duì)國(guó)外的依賴，走向了自主化的規(guī)模生產(chǎn)和普遍應(yīng)用。
碳化硅物理特性與硅有很大不同。單晶碳化硅比單晶硅具有很多優(yōu)越的物理特性，例如大約10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度、大約高3倍的熱導(dǎo)率、大約寬3倍禁帶寬度、大約高一倍的飽和漂移速度。除此之外，在具體的應(yīng)用上，雖然碳化硅器件的工藝難度比單晶硅大很多，但是一旦解決工藝問題，碳化硅器件制造流程短，體積重量小、抗氧化壽命長(zhǎng)、輸出功率高的特點(diǎn)，將使其成為遠(yuǎn)優(yōu)于單晶硅的21世紀(jì)理想半導(dǎo)體材料。而且碳化硅材料對(duì)電力的能耗極低，按照如果年產(chǎn)40萬片碳化硅晶片襯底的計(jì)劃，僅僅應(yīng)用在照明領(lǐng)域，每年減耗的電能就相當(dāng)于節(jié)約2600萬噸標(biāo)準(zhǔn)煤，是一種理想的節(jié)能材料。
單晶碳化硅（SIC）和單晶硅（SI）材料性能比較
由此可見，隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)硬件系統(tǒng)高功率密度、快響應(yīng)速度的需求日益迫切，基于碳化硅材料的晶體管在微波射頻領(lǐng)域具有單晶硅、砷化鎵器件無法比擬的優(yōu)勢(shì)，適合航天、微波通信、電子對(duì)抗、大容量信息處理等應(yīng)用。美軍第四代戰(zhàn)斗機(jī)、電子干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品。隨著我國(guó)碳化硅晶片生產(chǎn)能力的增強(qiáng)，國(guó)產(chǎn)戰(zhàn)機(jī)、戰(zhàn)艦都將能換上新的、性能更好的“千里眼”，在質(zhì)量和數(shù)量上縮小和美國(guó)的差距。
除了軍用之外，民用半導(dǎo)體和電力領(lǐng)域也急需碳化硅材料。據(jù)山東天岳官方網(wǎng)站的介紹，這是一家成立于2010年11月，以研制、生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片及襯底材料為主的民營(yíng)企業(yè)，是山東大學(xué)產(chǎn)業(yè)化基地、高新技術(shù)企業(yè)、山東省品牌建設(shè)示范企業(yè)。過去，碳化硅晶片的產(chǎn)量只能滿足軍用產(chǎn)品的需要，該企業(yè)40萬片的年產(chǎn)量，意味著碳化硅晶片不再是軍用雷達(dá)電子設(shè)備的“特供”產(chǎn)品，其用途或許可以擴(kuò)展到發(fā)電、輸電、鐵路、照明等民用領(lǐng)域，對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展發(fā)揮更大作用。
專家研討碳化硅材料
觀察者網(wǎng)查詢得知，山東天岳是與山東大學(xué)材料研究中心合作的一家碳化硅生產(chǎn)企業(yè)。材料科技一直是制約我國(guó)軍工發(fā)展的短板之一，2015年1月，觀察者網(wǎng)曾報(bào)道，北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司與中科院合作成功研發(fā)6英寸碳化硅襯底，并形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線，該企業(yè)一度是中國(guó)唯一一家碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)。然而，材料科技的短板不僅是體現(xiàn)在技術(shù)上，更體現(xiàn)在產(chǎn)量上。雖然相比較下技術(shù)上有所差距，但觀察者網(wǎng)了解到，山東天岳的新生產(chǎn)線將達(dá)到年產(chǎn)40-50萬片4英寸碳化硅襯底的程度，這樣巨大的規(guī)模，可能意味著我國(guó)碳化硅產(chǎn)品的成本降低，在產(chǎn)量上獲得飛躍。
眾所周知，目前大多數(shù)的半導(dǎo)體材料都是單晶硅，長(zhǎng)期以來，我國(guó)的單晶硅主要依靠進(jìn)口。相比單晶硅，碳化硅材料的制作和應(yīng)用則一直很困難，當(dāng)前世界上研發(fā)碳化硅器件的主要有美國(guó)、德國(guó)、瑞士、日本等國(guó)家，但直到現(xiàn)在碳化硅的工業(yè)應(yīng)用主要是作為磨料（金剛砂）使用。瑞士ABB曾經(jīng)一度成功開發(fā)出碳化硅二極管，然而在2002年，由于工藝?yán)щy、前景不明，ABB終止了碳化硅項(xiàng)目，可見研發(fā)難度之大。
半導(dǎo)體碳化硅襯底及芯片的重要戰(zhàn)略價(jià)值,使其始終穩(wěn)居美國(guó)商務(wù)部的禁運(yùn)名單,這也導(dǎo)致我國(guó)很難從國(guó)外獲得相應(yīng)產(chǎn)品。我國(guó)第二家企業(yè)對(duì)4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品的研制成功，說明我國(guó)在碳化硅晶片產(chǎn)品在工藝和產(chǎn)量上已經(jīng)能擺脫對(duì)國(guó)外的依賴，走向了自主化的規(guī)模生產(chǎn)和普遍應(yīng)用。
碳化硅物理特性與硅有很大不同。單晶碳化硅比單晶硅具有很多優(yōu)越的物理特性，例如大約10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度、大約高3倍的熱導(dǎo)率、大約寬3倍禁帶寬度、大約高一倍的飽和漂移速度。除此之外，在具體的應(yīng)用上，雖然碳化硅器件的工藝難度比單晶硅大很多，但是一旦解決工藝問題，碳化硅器件制造流程短，體積重量小、抗氧化壽命長(zhǎng)、輸出功率高的特點(diǎn)，將使其成為遠(yuǎn)優(yōu)于單晶硅的21世紀(jì)理想半導(dǎo)體材料。而且碳化硅材料對(duì)電力的能耗極低，按照如果年產(chǎn)40萬片碳化硅晶片襯底的計(jì)劃，僅僅應(yīng)用在照明領(lǐng)域，每年減耗的電能就相當(dāng)于節(jié)約2600萬噸標(biāo)準(zhǔn)煤，是一種理想的節(jié)能材料。
單晶碳化硅（SIC）和單晶硅（SI）材料性能比較
由此可見，隨著無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)硬件系統(tǒng)高功率密度、快響應(yīng)速度的需求日益迫切，基于碳化硅材料的晶體管在微波射頻領(lǐng)域具有單晶硅、砷化鎵器件無法比擬的優(yōu)勢(shì)，適合航天、微波通信、電子對(duì)抗、大容量信息處理等應(yīng)用。美軍第四代戰(zhàn)斗機(jī)、電子干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品。隨著我國(guó)碳化硅晶片生產(chǎn)能力的增強(qiáng)，國(guó)產(chǎn)戰(zhàn)機(jī)、戰(zhàn)艦都將能換上新的、性能更好的“千里眼”，在質(zhì)量和數(shù)量上縮小和美國(guó)的差距。
除了軍用之外，民用半導(dǎo)體和電力領(lǐng)域也急需碳化硅材料。據(jù)山東天岳官方網(wǎng)站的介紹，這是一家成立于2010年11月，以研制、生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片及襯底材料為主的民營(yíng)企業(yè)，是山東大學(xué)產(chǎn)業(yè)化基地、高新技術(shù)企業(yè)、山東省品牌建設(shè)示范企業(yè)。過去，碳化硅晶片的產(chǎn)量只能滿足軍用產(chǎn)品的需要，該企業(yè)40萬片的年產(chǎn)量，意味著碳化硅晶片不再是軍用雷達(dá)電子設(shè)備的“特供”產(chǎn)品，其用途或許可以擴(kuò)展到發(fā)電、輸電、鐵路、照明等民用領(lǐng)域，對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展發(fā)揮更大作用。